制造硅单晶的设备
专利申请的视为撤回
摘要
一种制造硅单晶的设备，其中有一个隔离元件安装于旋转石英坩埚中，使它环绕着一边旋转一边拉制的大圆柱形硅单晶，该隔离元件至少有一个小孔通过其下部。隔离元件的全部或一部分由多孔石英玻璃制成，其孔含量(体积百分数)在0.01至15％之间。或者小于0.01％，但利用来熔化硅原料的热使其增加到0.01％至15％，这样就防止了与隔离元件内侧接触的熔融物料的温度降低，并防止了该部位的熔融物料发生凝固。
基本信息
专利标题 ：
制造硅单晶的设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1055964A
申请号 ：
CN91102023.3
公开（公告）日 ：
1991-11-06
申请日 ：
1991-04-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岛芳延神尾宽铃木真
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
姜建成
优先权 ：
CN91102023.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1994-01-12 ：
专利申请的视为撤回
1992-08-26 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-11-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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