硅单晶薄片制造晶体管的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明公开了一种硅单晶薄片制造晶体管的方法，它包括a.在原始单晶片上预先扩散入N+杂质，b.硅片单面机械研磨、抛光，c.在400℃～1200℃范围内生长或沉积介质膜层，d.硅片背面涂高纯玻璃粉在500℃～1200℃的温度下将两张背靠背的硅单晶薄片烧结，e.双面或单面法制造晶体管，f.制成晶体管芯片生用化学腐蚀方法分离上述硅片。本发明的优点是革除了常规半导体工业所采用的高温(1275℃)和长时间(200小时)的三重扩散法，同时具有节能，省硅材料和缩短生产周期的特点。
基本信息
专利标题 ：
硅单晶薄片制造晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1064766A
申请号 ：
CN91101561.2
公开（公告）日 ：
1992-09-23
申请日 ：
1991-03-13
授权号 ：
CN1022653C
授权日 ：
1993-11-03
发明人 ：
陈福元陈启秀陈忠景章婉珍李贡社
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
张法高
优先权 ：
CN91101561.2
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L29/70
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
1995-05-03 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-11-03 ：
授权
1992-09-23 ：
公开
1991-09-11 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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