重掺锑硅单晶的制造方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一种以纯氮作为保护气氛的重掺锑硅单晶的制造方法，其特征在于熔硅、掺锑、拉晶过程中所采用的氮气保护气氛为减压——常压——减压的保护气氛。采用这种方法制造的重掺锑硅单晶的制造成本比充氩保护制造重掺锑硅单晶的方法可降低成本15-20％，提高成品率10％以上，产品质量稳定。
基本信息
专利标题 ：
重掺锑硅单晶的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86100854A
申请号 ：
CN86100854.5
公开（公告）日 ：
1986-09-03
申请日 ：
1986-01-16
授权号 ：
CN86100854B
授权日 ：
1988-08-31
发明人 ：
阙端麟李立本陈修治
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN86100854.5
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2001-09-12 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1989-07-05 ：
授权
1988-08-31 ：
审定
1986-09-03 ：
公开
1986-07-09 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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