磁场直拉硅单晶的制备方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明涉及一种硅单晶的制备方法，特别涉及一种用于半导体器件的磁场直拉硅单晶的制备方法。该方法包括有打开电磁场及拉细颈工艺流程，其操作步骤如下：当多晶料完全熔化之后，即顺时针旋转手柄，使电磁场机构复位，然后闭合电源开关；按下磁场控制器按钮，启动磁场，首先双手分别同步顺时针旋转加载电流旋钮，缓慢地将电流加至35A；当磁场强度大于1200GS时，将埚转调至1－8转/分，再开动籽晶旋转机构，使晶转为12－16转/分，然后调整坩埚位置；在拉细颈时，先将籽晶行程调至零位，然后旋转晶升电位器，逐步提高拉速至16英寸/小时。采用该方法制备的硅单晶解决了电阻率径向分布不均匀、容易产生漩涡缺陷和氧含量高等技术问题，从而提高了产品质量，满足了市场需求。

基本信息

专利标题：

磁场直拉硅单晶的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1763265A

申请号：

CN200510015279.1

公开（公告）日：

2006-04-26

申请日：

2005-09-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

沈浩平胡元庆汪雨田刘为钢李翔刘宇李海静周建华

申请人：

天津市环欧半导体材料技术有限公司

申请人地址：

300161天津市河东区张贵庄路152号

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司

代理人：

王凤英

优先权：

CN200510015279.1

主分类号：

C30B15/00

IPC分类号：

C30B15/00 C30B29/06