电磁场中浮区熔化单晶体(或定向凝固)材料制备方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明属于单晶材料的制备方法，其工艺方法是单晶浮区熔化的熔池内施加电磁场，电磁场为直流电产生的恒稳磁场或交流电产生的交变磁场，料棒送进速度和提拉速度(晶体生长速度)连续可调，料棒和单晶体在磁场中作轴向旋转，采用稳定的机械装置提拉出单晶。优点是：有效的克服了对已有各种浮区熔化晶体生产造成的缺陷——重力对流、温差热对流和表面张力对流对晶体生长所造成的破坏。
基本信息
专利标题 ：
电磁场中浮区熔化单晶体(或定向凝固)材料制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1088634A
申请号 ：
CN92112228.4
公开（公告）日 ：
1994-06-29
申请日 ：
1992-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
葛云龙杨院生焦育宁刘清民刘传胜胡壮麒
申请人 ：
中国科学院金属研究所
申请人地址 ：
110015辽宁省沈阳市文化路72号
代理机构 ：
中国科学院沈阳专利事务所
代理人 ：
朱光林
优先权 ：
CN92112228.4
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1997-02-05 ：
专利申请的视为撤回
1995-01-04 ：
实质审查请求的生效
1994-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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