碘化汞单晶体的制备方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明提出了一种碘化汞单晶体制备方法，它将高纯碘化汞原料封入真空度为10-5Torr的玻璃生长安瓿，把安瓶瓿于立式炉中，使安瓿慢速转动，加热使原料在安瓿1/2高度处稳定配置，缓慢调节安瓿底部温度，逐渐达到晶体生长温度，使其自然成核，适当调节基座与源处的温度，使晶体不断长大，获得外形完整、质量优良的碘化汞单晶体。
基本信息
专利标题 ：
碘化汞单晶体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1061057A
申请号 ：
CN90106163.8
公开（公告）日 ：
1992-05-13
申请日 ：
1990-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈观雄李正辉朱世富银淑君冉王俊韩斌赵北君
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
610064四川省成都市九眼桥四川大学
代理机构 ：
四川大学专利事务所
代理人 ：
刘双兰
优先权 ：
CN90106163.8
主分类号 ：
C30B29/12
IPC分类号 ：
C30B29/12 C30B11/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/12
卤化物
法律状态
1993-11-03 ：
专利申请的视为撤回
1992-05-13 ：
公开
1991-07-24 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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