本发明涉及一种纳米级碳化硅单晶体的制备方法，包括以下步骤：以等离子体设备为反应器，采用钨棒为阴极，硅碳棒为阳极，移动阳极，从阴极引出电弧，保持电弧稳定，通过高能电弧等离子体作用，利用等离子体能量高度集中的特征，使硅碳棒迅速蒸发，形成蒸汽，再利用周围冷却背景提供的高的温度梯度使蒸汽快速形核、凝聚，形成纳米级碳化硅单晶体。该方法工艺简单，易于批量生产，得到的纳米碳化硅单晶体粉体颗粒小，分散性好，纯度高。