单晶体的制备方法及硅晶体
实质审查的生效
摘要
本发明公开了单晶体的制备方法及硅晶体，该制备方法包括：在等径生长阶段，根据线性方程Gh＝k*h+G0得到Gh，其中，G0为固液界面处温度梯度，取值为35～55K/cm，h为相对于固液界面高度，取值为0～10mm，Gh为距离固液界面高度h处晶棒轴向温度梯度，单位为K/cm；在固液界面至参考面的区域内调整温度梯度至Gh，其中，所述参考面为固液界面上方10mm的界面。该方法通过调控固液界面至参考面的区域内晶棒轴向温度梯度，使晶体中点缺陷充分地对流扩散和再复合，减少游离V型点缺陷和I型点缺陷浓度。
基本信息
专利标题 ：
单晶体的制备方法及硅晶体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114438585A
申请号 ：
CN202111619103.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王双丽陈俊宏
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄德海
优先权 ：
CN202111619103.2
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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