空腔型压电单晶体声波谐振器及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种空腔型压电单晶体声波谐振器及其制备方法。所述空腔型压电单晶体声波谐振器包括衬底和压电单晶薄膜，所述压电单晶薄膜具有相背对的第一面和第二面，所述第一面、第二面分别设有第一电极、第二电极，所述第一面与衬底表面结合，所述衬底表面形成有相互连通的空气腔和排气沟道，所述第一电极设置于相应的空气腔内，所述排气沟道与设置于所述声波谐振器表面的开口连通。与现有技术相比，本发明避免了直接刻蚀化学性质稳定的压电单晶薄膜，降低了空腔型压电单晶体声波谐振器的制备难度，同时通过设置排气沟道辅助键合过程，可以减少键合过程中的气泡缺陷，具有很强的实用性。
基本信息
专利标题 ：
空腔型压电单晶体声波谐振器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114301406A
申请号 ：
CN202111638169.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘峰
申请人 ：
苏州达波新材科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区38幢3-6室
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202111638169.6
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02 H03H9/02 H03H9/17
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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