单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器

授权

摘要

本发明涉及声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器；本发明的目的在于采用单晶薄膜空腔型体声波谐振器的制备方法，即通过在单晶薄膜层下表面制备覆盖整个单晶薄膜层下表面的具有导电和隔离作用的下电极的设计以解决现有的在键合过程中，键合层产生的气泡导致单晶薄膜层产生裂纹，使得单晶薄层膜翘起或凹陷甚至断裂，影响空腔型体声波谐振器整体性能的技术问题。

基本信息

专利标题：

单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110011632A

申请号：

CN201910187255.6

公开（公告）日：

2019-07-12

申请日：

2019-03-13

授权号：

CN110011632B

授权日：

2022-05-03

发明人：

帅垚吴传贵罗文博

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

电子科技大学专利中心

代理人：

闫树平

优先权：

CN201910187255.6

主分类号：

H03H3/02

IPC分类号：

H03H3/02 H03H9/17 H01L41/29 H01L41/047