单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法及谐振器

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摘要

本发明涉及单晶薄膜型体声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法及谐振器；本发明的目的在于提供一种单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法及谐振器，通过单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法制得的谐振器的设计以解决现有的压电层的频率温度系数通常不为零，声波谐振器的不同的温度点下工作时，其谐振频率点会发生改变的技术问题。

基本信息

专利标题：

单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法及谐振器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110233605A

申请号：

CN201910393155.9

公开（公告）日：

2019-09-13

申请日：

2019-05-13

授权号：

CN110233605B

授权日：

2022-05-03

发明人：

吴传贵帅垚罗文博

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

电子科技大学专利中心

代理人：

闫树平

优先权：

CN201910393155.9

主分类号：

H03H3/04

IPC分类号：

H03H3/04 H03H3/02 H03H9/00 H03H9/02 G06F17/50