一种利用射频电感优化单晶薄膜体声波谐振器滤波器
授权
摘要
本实用新型公开了一种利用射频电感优化单晶薄膜体声波谐振器滤波器。所述滤波器包括外延衬底、底电极、压电薄膜、顶电极、保护层、电学连接通孔、电极连接微带线及射频电感平面金属线段。所述滤波器包括具有三明治结构的谐振器单元、射频电感部件。所述谐振器单元为硅背刻蚀型FBAR谐振器，采用单晶AlN压电层作为声学震荡层，采用该制备方法得到的FBAR滤波器有效提高了带外抑制、减小带内波纹，简化FBAR滤波器制备过程且降低器件制备成本提高产品性能。
基本信息
专利标题 ：
一种利用射频电感优化单晶薄膜体声波谐振器滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020719624.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-30
授权号 ：
CN212012592U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
李国强张铁林刘红斌衣新燕刘鑫尧赵利帅
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN202020719624.X
主分类号 ：
H03H9/17
IPC分类号 ：
H03H9/17 H03H3/02
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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