金属单晶薄膜及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种金属单晶薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；将所述衬底置于沉积设备中，在所述衬底上沉积金属薄膜；将沉积有所述金属薄膜的衬底转移至具有退火功能的成像设备中进行退火处理并通过成像设备原位观测所述金属薄膜的表面状态；根据所述金属薄膜的表面状态实时调整退火条件，以获得具有单一取向和表面原子级平整度的金属单晶薄膜。本发明提供的金属单晶薄膜的制备方法在对金属薄膜进行退火的过程中通过成像设备实时对金属薄膜的表面状态进行原位观测，根据金属薄膜的表面状态实时调整退火条件，从而有效提升了金属单晶薄膜的制备效率和质量。
基本信息
专利标题 ：
金属单晶薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381699A
申请号 ：
CN202011134376.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔义魏伟潘佳琪
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
代理机构 ：
深圳市铭粤知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙伟峰
优先权 ：
CN202011134376.3
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/58 C23C14/18 C23C14/54 C30B1/02 C30B29/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20201021
申请日 : 20201021
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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