氮化物单晶薄膜及其制备方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种氮化物单晶薄膜及其制备方法和应用。所述基于铁电材料衬底远程外延生长氮化物单晶薄膜的方法包括：将铁电材料衬底的温度调节至铁电材料的居里温度点以上，并对所述铁电材料衬底施加电场进行极化处理，以将所述铁电材料衬底的极化强度调节至50～120μC/cm2，之后使所述铁电材料衬底冷却；在铁电材料衬底表面覆设二维材料；在所述二维材料表面外延生长氮化物外延层。本发明实施例提供的一种基于铁电材料衬底远程外延生长氮化物单晶薄膜的方法，通过调节衬底的极化强度，有效的改善了氮化物外延层的单晶程度，从而获得高质量、极性一致的氮化物薄膜。
基本信息
专利标题 ：
氮化物单晶薄膜及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114277443A
申请号 ：
CN202111625327.4
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
屈艺谱徐俞王钰宁王建峰徐科
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202111625327.4
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B25/18 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/40
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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