一种大尺寸柔性氮化镓单晶薄膜的制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种大尺寸柔性氮化镓单晶薄膜的制备方法，解决了现有的GaN生长制备过程中，GaN薄膜散热差、质量差、位错密度高、内部应力大、易开裂及GaN薄膜不易转移等问题。本发明包括如下步骤：步骤1：提供Cu单晶衬底；步骤2：在步骤1的Cu单晶衬底上生长h‑BN薄膜层；步骤3：在步骤2的生长的h‑BN薄膜层上生长低温GaN成核层；步骤4：在步骤3的生长的低温GaN成核层上持续外延生长GaN外延层；步骤5：将步骤4得到的高温GaN外延层降至室温获得平整的GaN单晶薄膜。本发明具有生成的GaN单晶薄膜散热好、质量好、位错密度低、粗糙度低、易剥离等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸柔性氮化镓单晶薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574970A
申请号 ：
CN202210110893.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨军孔玮马亚庆
申请人 ：
西湖大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区云栖小镇石龙山街18号
代理机构 ：
北京众达德权知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晓冬
优先权 ：
CN202210110893.X
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B23/02 C30B25/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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