一种氮化镓单晶材料、其制备方法及应用
授权
摘要
本申请公开了一种氮化镓单晶材料及其制备方法、应用，所述氮化镓单晶材料为相互交联的氮化镓单晶纳米片，所述交联处为单晶结。本申请通过化学气相沉积方法在覆盖有金属A层的镓酸锂衬底上生长氮化镓纳米片，制备的高质量氮化镓纳米片在镓酸锂衬底上沿两个方向倾斜排列且纳米片之间通过单晶结互相交联，实现了一维纳米片之间的载流子传输。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓单晶材料、其制备方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113308741A
申请号 ：
CN202110655180.7
公开（公告）日 ：
2021-08-27
申请日 ：
2021-06-11
授权号 ：
CN113308741B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
陈晨龙王俪霖苗雨李俊谕孙姝婧
申请人 ：
中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室
申请人地址 ：
福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号
代理机构 ：
北京元周律知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨晓云
优先权 ：
CN202110655180.7
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B25/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-09-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/40
申请日 : 20210611
申请日 : 20210611
2021-08-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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