氮化铝模板及其制备方法
实质审查的生效
摘要
一种氮化铝模板及其制备方法，涉及半导体技术领域。该氮化铝模板的制备方法包括：提供一具有斜切角的蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的斜切角方向为c面偏a轴或c面偏m轴，且斜切角度在0.5°至6°之间；在蓝宝石衬底上沉积第一氮化铝薄膜，以得到第一材料；对第一材料进行第一次高温热退火处理，且在第一次高温热退火处理后将第一材料降至室温并取出；在第一材料远离蓝宝石衬底的一面沉积第二氮化铝薄膜。该氮化铝模板由上述的氮化铝模板的制备方法制备得到。该氮化铝模板的制备方法能够降低氮化铝模板的压应变强度，提高氮化铝模板的性能。
基本信息
专利标题 ：
氮化铝模板及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284404A
申请号 ：
CN202111641605.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何晨光张康吴华龙贺龙飞陈志涛赵维廖乾光刘云洲
申请人 ：
广东省科学院半导体研究所
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张金铭
优先权 ：
CN202111641605.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/12 C30B29/40 C30B33/02
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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