一种氮化铝模板
授权
摘要
本公开涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种氮化铝模板。所述氮化铝模板包括衬底，氮化铝缓冲层，所述氮化铝缓冲层设于所述衬底上；第一氮化铝外延层，设置在所述氮化铝缓冲层上，所述第一氮化铝外延层的上表面设置有多个孔洞；氮化铝覆盖外延单元，覆盖在所述第一氮化铝外延层上，所述氮化铝覆盖外延单元的下表面与所述孔洞贴合，并在所述孔洞处横向聚合。以释放生长出来的材料的应力，降低材料表面的裂纹或减少表面的雾化缺陷。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化铝模板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123378500.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
CN216698404U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
蒋国文徐广源樊怡翔常煜鹏史文剑李天华李晋闽
申请人 ：
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请人地址 ：
山西省长治市高新区漳泽新型工业园区
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李征宇
优先权 ：
CN202123378500.3
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/22
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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