专用于氮化铝单晶模板面对面退火的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种专用于氮化铝单晶模板面对面退火的装置，其包括采用石墨材料制成的装载主体和压盖，所述装载主体上设有用来放置氮化铝单晶模板的凹腔和设有至少一条使所述凹腔与外界空间相连通的通气结构。加设有通气结构，能保证退火操作时气流通畅，使得位于凹腔内的氮化铝单晶模板在退火过程中与外界环境中的氮气充分接触，并且增强退火过程中的受热均匀性，最终得到均匀性好且结晶质量优异的氮化铝单晶薄膜模板；同时在所述装载主体和盖体上涂敷有碳化硅涂层，在保证高热导率实现均匀热分布的基础上，防止石墨在高温状态下氧化，延长使用寿命，另外整体结构简单，易于实现，成本低，可以叠层堆积放置，节省空间，适用于规模化生产。
基本信息
专利标题 ：
专用于氮化铝单晶模板面对面退火的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122166313.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-08
授权号 ：
CN216427488U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
袁冶王新强张晋黄黎杰刘上锋康俊杰罗巍王维昀李永德王后锦唐波
申请人 ：
松山湖材料实验室
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 ：
深圳市千纳专利代理有限公司
代理人 ：
刘嘉伟
优先权 ：
CN202122166313.2
主分类号 ：
C30B33/02
IPC分类号 ：
C30B33/02 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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