一种单晶硅炉退火装置
授权
摘要
本实用新型属于退火装置领域，尤其是一种单晶硅炉退火装置，针对现有的退火装置加热不均匀，退火效率低的问题，现提出如下方案，其包括退火炉主体，所述退火炉主体内壁固定安装有安装板，所述退火炉主体上端固定安装有电机，所述电机输出轴连接有连接轴，所述连接轴下端依次穿过退火炉主体以及安装板，且连接轴底端固定安装有支撑板，所述安装板下端安装有两个加热器，且两个所述加热器对称设置于连接轴两侧，所述退火炉主体内部设置有通风管道，所述通风管道上端口与支撑板底部相连接，所述退火炉主体两端对称开设有两个进风口。本实用新型加热均匀，退火效率高，速率快，且操作简单方便，实用性高。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶硅炉退火装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920434006.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-02
授权号 ：
CN210030958U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
郑芹峰方伟建
申请人 ：
浙江明峰电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省衢州市开化县工业园区茶场片区茶四路6号
代理机构 ：
北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈娟
优先权 ：
CN201920434006.8
主分类号 ：
C30B33/02
IPC分类号 ：
C30B33/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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