单晶硅生产装置
专利权的视为放弃
摘要
一种单晶硅生产装置，包括一个置于石墨坩埚内的石英坩埚、隔板和加热器，隔板将石英坩埚中的熔融硅料分成两部分，内侧是单晶硅生长部分，外侧是材料熔化部分；加热器用以使单晶硅生长部分中的熔融硅料保持在适于单晶硅生长的温度下，并为熔化装进材料熔化部分的原材料提供热量；隔板上开有一些小孔。隔板的材料为不透明的石英玻璃。向材料熔化部分加入原材料而从单晶硅生长部分拉出单晶硅。熔融硅料通过隔板小孔由材料熔化部分流入晶体生长部分。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅生产装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1047894A
申请号 ：
CN90100791.9
公开（公告）日 ：
1990-12-19
申请日 ：
1990-02-17
授权号 ：
CN1018851B
授权日 ：
1992-10-28
发明人 ：
岛芳延大村雅纪大谷章荒木健治
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
刘志平
优先权 ：
CN90100791.9
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
1994-01-19 ：
专利权的视为放弃
1992-10-28 ：
审定
1990-12-19 ：
公开
1990-07-25 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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