单晶硅生产设备
专利申请的视为撤回
摘要
一种单晶硅生产设备，用以按照坩埚旋转的切克劳斯基法高速提拉大直径单晶硅。该设计的特点在于，分隔件是坩埚式的，熔融硅表面上方分隔件的厚度不小于3毫米，且不大于熔融硅表面下方分隔件厚度的80％，分隔件的底部部分紧固在坩埚底部部分上，且分隔件支撑在圆柱形石英件上。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅生产设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1056137A
申请号 ：
CN91102924.9
公开（公告）日 ：
1991-11-13
申请日 ：
1991-04-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
兼头武神尾宽
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN91102924.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1994-01-12 ：
专利申请的视为撤回
1992-08-26 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-11-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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