本发明公开一种单晶硅片的生产方法及单晶硅片，涉及半导体硅片的生产制造领域，能够生产出120微米厚度以下的单晶硅片，从而能够降低硅片的生产成本。具体方案包括：获取单晶硅，并将单晶硅固定于晶托；控制晶托固定有单晶硅的一侧下压，利用切割装置对单晶硅进行切割，切割装置包括：金刚石切割线，金刚石切割线包括颗粒粒径范围在4~10μm的金刚石，金刚石切割线的张力为4.7~5.7牛；在切割过程中利用喷淋装置对单晶硅进行喷淋处理，且利用导轮吹气装置对切割装置进行清洁处理；下压切割行程结束后，控制晶托上移，再将单晶硅从晶托处脱离，得到多个单晶硅片；将单晶硅片逐片插入花篮中，对每个单晶硅片进行清洗处理，得到多个目标单晶硅片。