单晶硅的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种单晶硅的制造方法，其利用提拉法从包含红磷作为掺杂剂的硅熔液中提拉直体直径为301mm以上且330mm以下的单晶硅并使其生长，在该单晶硅的制造方法中，将单晶硅的直体部开始位置中的电阻率控制为1.20mΩcm以上且1.35mΩcm以下，之后，逐渐降低单晶硅的电阻率，将单晶硅的一部分的电阻率设为0.7mΩcm以上且1.0mΩcm以下。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110914483A
申请号 ：
CN201880043340.9
公开（公告）日 ：
2020-03-24
申请日 ：
2018-06-15
授权号 ：
CN110914483B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
川上泰史前川浩一
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨戬
优先权 ：
CN201880043340.9
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/04
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-04-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20180615
申请日 : 20180615
2020-03-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN110914483A.PDF
PDF下载
