n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片
实质审查的生效
摘要
本发明涉及n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片。本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其利用提拉法从包含红磷作为主要掺杂剂的硅熔液提拉单晶硅并使其生长，在该制造方法中，将单晶硅的直体部开始位置中的电阻率控制为0.80mΩcm以上且1.05mΩcm以下，之后，随着提拉单晶硅并使其生长，逐渐降低单晶硅的电阻率，将单晶硅的一部分的电阻率设为0.5mΩcm以上且小于0.6mΩcm。
基本信息
专利标题 ：
n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114438587A
申请号 ：
CN202210123737.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2018-03-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
前川浩一鸣嶋康人川上泰史小川福生堤有二
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
梅黎
优先权 ：
CN202210123737.7
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B29/06 C30B15/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20180329
申请日 : 20180329
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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