SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及SiC外延晶片及其制造方法。本发明的目的在于提供高浓度层的n型掺杂浓度的面内均匀性高的SiC外延晶片。本发明的SiC外延晶片具备SiC单晶基板和设在所述SiC单晶基板上的高浓度层，所述高浓度层的n型掺杂浓度的平均值为1×1018/cm3以上且1×1019/cm3以下，并且掺杂浓度的面内均匀性的值为30％以下。
基本信息
专利标题 ：
SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496724A
申请号 ：
CN202111324659.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石桥直人深田启介
申请人 ：
昭和电工株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
王潇悦
优先权 ：
CN202111324659.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C30B25/14 C30B25/16 C30B29/36
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211110
申请日 : 20211110
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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