加工晶片和芯片形成晶片的制造方法
实质审查的生效
摘要
一种制造芯片形成晶片的方法，包括：在碳化硅晶片(1)的第一主表面(1a)上形成外延膜(2)，以提供具有与外延膜相邻的一侧(20a)和另一侧(20b)的加工晶片(20)；将激光束(L)从加工晶片的另一侧照射到加工晶片中，以便沿加工晶片的表面方向形成变质层(23)；以及以变质层作为边界将加工晶片分离成具有加工晶片的所述一侧的芯片形成晶片(50)和具有加工晶片的所述另一侧的再循环晶片(60)。加工晶片在加工晶片的外边缘部分具有斜面部分(21)，并且在斜面部分中所述另一侧的面积大于所述一侧的面积。
基本信息
专利标题 ：
加工晶片和芯片形成晶片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496885A
申请号 ：
CN202111245518.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
长屋正武熊泽辉显南云裕司平田和也野本朝辉
申请人 ：
株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王琼先
优先权 ：
CN202111245518.8
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20211026
申请日 : 20211026
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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