形成共面晶片级芯片封装的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

本发明提供了形成共面多芯片晶片级封装的经济的方法。使用局部晶片接合和局部晶片切片技术来形成芯片和凹穴。然后将完成的芯片安装到载体衬底的对应的凹穴中,在完成的芯片的顶部平坦表面上形成芯片间的全局互连。所提供的方法便利了用不同的工艺步骤和材料制造的芯片的集成。不再需要使用平坦化工艺比如化学机械抛光来使芯片的顶面平面化。由于芯片被相互精确对准并且所有芯片都朝上安装,模块已经准备好了进行全局布线,这就不需要将芯片从倒置位置翻转过来。

基本信息
专利标题 :
形成共面晶片级芯片封装的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101027765A
申请号 :
CN200580032595.8
公开(公告)日 :
2007-08-29
申请日 :
2005-11-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
罗伊德·巴雷尔陈浩许履尘沃尔夫冈·索特
申请人 :
国际商业机器公司
申请人地址 :
美国纽约
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
李春晖
优先权 :
CN200580032595.8
主分类号 :
H01L21/48
IPC分类号 :
H01L21/48  H01L23/14  H01L23/538  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法,在器件组装之前制造或处理部件,例如容器
法律状态
2017-12-05 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/48
登记生效日 : 20171115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
2017-12-05 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/48
登记生效日 : 20171115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
2008-11-26 :
授权
2007-10-24 :
实质审查的生效
2007-08-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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