倒装芯片封装方法及其焊锡点形成方法
专利权的终止
摘要
供给一种可能适用于下一代半导体集成电路的倒装芯片封装的、生产性及信赖性高的倒装芯片封装方法、以及衬底间连接方法。具有多个连接端子(11)的电路衬底(21)和具有多个电极端子(12)的半导体芯片(20)的间隙间，供给含有焊锡粉(16)和气泡产生剂的树脂(14)后，加热树脂(14)，使树脂(14)中含有的气泡产生剂产生气泡(30)。树脂(14)，由产生的气泡(30)的膨胀被向气泡(30)外推出，在电路衬底(10)和半导体芯片(20)的端子间自行聚合。再有，通过加热树脂(14)，熔融端子间自行聚合了的树脂(14)中含有的焊锡粉(16)，在端子间形成连接体(22)，完成倒装芯片封装体。
基本信息
专利标题 ：
倒装芯片封装方法及其焊锡点形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142665A
申请号 ：
CN200680008187.3
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
辛岛靖治北江孝史中谷诚一
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
陆弋
优先权 ：
CN200680008187.3
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H05K3/34
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2021-03-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20060316
授权公告日 : 20090603
终止日期 : 20200316
申请日 : 20060316
授权公告日 : 20090603
终止日期 : 20200316
2009-06-03 ：
授权
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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