高反射LED倒装芯片及其封装结构
授权
摘要
本实用新型提供一种高反射LED倒装芯片及其封装结构。本实用新型通过将接触电极之间的距离做小，再增设一层第二透明绝缘层，在第二透明绝缘层上开设焊接孔，使得焊接间距不变，既能够大幅提高芯片外量子效率，又可降低侧面和电极面的出光，从而实现在封装形式不变的情况下有效地提升亮度。解决了现有技术中因接触电极之间的距离大而导致出光效率低的问题。
基本信息
专利标题 ：
高反射LED倒装芯片及其封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020263737.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-06
授权号 ：
CN211455715U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
王涛朱国健
申请人 ：
厦门乾照半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020263737.3
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/44 H01L33/00 H01L33/62
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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