一种芯片倒装金属封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种芯片倒装金属封装结构，它包括引线框架(1)和MOS芯片(2)，所述引线框架(1)包括源极框架(11)和栅极框架(12)，所述源极框架(11)包括源极载片台(111)和源极输出引脚(112)，所述栅极框架(12)包括栅极载片台(121)和栅极输出引脚(122)，所述MOS芯片(2)一面设置有源极(21)和栅极(22)，另一面设置有漏极(23)，所述MOS芯片(2)的源极(21)和栅极(22)上分别设置有源极凸块(24)和栅极凸块(25)。本实用新型能够解决传统金属封装在MOS芯片应用中输出及散热问题。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片倒装金属封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922154827.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-04
授权号 ：
CN210837729U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
陆惠芬徐赛王赵云
申请人 ：
长电科技（宿迁）有限公司
申请人地址 ：
江苏省宿迁市经济开发区苏宿工业园区普陀山大道５号
代理机构 ：
北京中济纬天专利代理有限公司
代理人 ：
赵海波
优先权 ：
CN201922154827.9
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/367 H01L23/495 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210837729U.PDF
PDF下载
