多EMI屏蔽层的倒装芯片封装结构

授权

摘要

本申请涉及一种多EMI屏蔽层的倒装芯片封装结构，所述封装结构包括：基板及倒装芯片，所述倒装芯片贴装于所述基板的表面，所述倒装芯片的底部填充有非导电胶；多个EMI屏蔽层，所述多个EMI屏蔽层依次包覆在所述倒装芯片和非导电胶的表面以实现EMI屏蔽，所述多个EMI屏蔽层之间填充有非导电胶。本实用新型通过多级EMI屏蔽层结构，其抗干扰性能优于传统增加单层屏蔽金属层厚度的方式，将该多EMI屏蔽层封装在产品内部可以有效提升产品的可靠性。此外，还可对整片封装基板进行作业，比传统EMI屏蔽结构需要切成单颗产品进行加工的工艺效率更高。

基本信息

专利标题：

多EMI屏蔽层的倒装芯片封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022107079.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-23

授权号：

CN213026119U

授权日：

2021-04-20

发明人：

喻志刚林建涛单庆涛

申请人：

东莞记忆存储科技有限公司

申请人地址：

广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区工业东路32号

代理机构：

深圳市精英专利事务所

代理人：

李莹

优先权：

CN202022107079.1

主分类号：

H01L23/552

IPC分类号：

H01L23/552 H01L23/31