非导电膜及其形成方法、芯片封装结构及方法
授权
摘要
本申请实施例提供一种非导电膜及其形成方法、芯片封装结构及方法，其中，所述非导电膜至少包括：第一膜层和第二膜层；所述第一膜层的表面具有网格状的凹槽结构，且所述凹槽结构中每一凹槽的深度小于所述第一膜层的厚度；所述第二膜层位于所述第一膜层表面的所述凹槽中；其中，在相同条件下所述第一膜层的流动性大于所述第二膜层的流动性。
基本信息
专利标题 ：
非导电膜及其形成方法、芯片封装结构及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114023704A
申请号 ：
CN202210003808.X
公开（公告）日 ：
2022-02-08
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
CN114023704B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
张志伟
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张李静
优先权 ：
CN202210003808.X
主分类号 ：
H01L23/02
IPC分类号 ：
H01L23/02 H01L21/48 H01L25/00 H01L21/50
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2022-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/02
申请日 : 20220105
申请日 : 20220105
2022-02-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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