封装结构及其形成方法
公开
摘要
一种封装结构及其形成方法，封装结构包括：一封装基板、一第一晶粒、一第二晶粒、一第一底部填充剂及一第二底部填充剂。该第一晶粒及一第二晶粒设置在该封装基板上。该第一底部填充剂位于该第一晶粒与该封装基板之间，且该第一底部填充剂包括自该第一晶粒的一第一侧壁朝向该第二晶粒延伸的一第一延伸部分。该第二底部填充剂位于该第二晶粒与该封装基板之间，且该第二底部填充剂包括自该第二晶粒的一第二侧壁朝向该第一晶粒延伸的一第二延伸部分，该第二延伸部分与该封装基板上的该第一延伸部分重叠。
基本信息
专利标题 ：
封装结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628377A
申请号 ：
CN202110930994.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-08-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张任远王升志
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110930994.7
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/31 H01L21/50 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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