形成半导体封装结构的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种形成半导体封装结构的方法，包括：将芯片的主动面朝上设置；在载体上形成对位结构；将芯片翻转放置在载体上并倾斜载体，使得芯片的主动面接触载体、芯片的侧壁接触对位结构。本发明的目的在于至少实现提高半导体封装结构的精度。
基本信息
专利标题 ：
形成半导体封装结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334678A
申请号 ：
CN202011064668.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕文隆
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202011064668.4
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/68
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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