形成半导体封装件的方法
实质审查的生效
摘要
形成半导体封装件的方法包括：在再分布结构上形成焊膏的区域，其中，焊膏具有第一熔化温度；在互连结构上形成焊料凸块，其中，焊料凸块具有大于第一熔化温度的第二熔化温度；将焊料凸块放置在焊膏的区域上；在第一回流温度下执行第一回流工艺第一持续时间，其中，第一回流温度小于第二熔化温度；以及在执行第一回流工艺之后，在第二回流温度下执行第二回流工艺第二持续时间，其中第二回流温度大于第二熔化温度。
基本信息
专利标题 ：
形成半导体封装件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388374A
申请号 ：
CN202110409550.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-04-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈威宇裴浩然郭炫廷曹智强余人睿钟宇轩张家纶林修任谢静华
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202110409550.9
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20210416
申请日 : 20210416
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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