半导体封装件的接合结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本公开实施例涉及一种半导体封装件的接合结构及其形成方法。该半导体封装件的接合结构包括导线框架，导线框架包括第一部分和第二部分，第二部分的第一端部连接至第一部分。该半导体封装件的接合结构还包括设置于第二部分的与第一端部相对的第二端部处的蚀刻阻抗层，其中，第二部分在第一端部与第二端部之间的中间处的宽度小于第一端部的宽度并且小于第二端部的宽度。本发明的上述技术方案，可以解决导线框架和电路板的接合面积有限的问题，以增加连接的可靠度。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装件的接合结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388468A
申请号 ：
CN202111412567.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐志宏黄进吏谢玫璘董明澄林洁莹徐义程陈苑君吴克璞
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202111412567.6
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/31 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/495
申请日 : 20211125
申请日 : 20211125
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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