接合垫结构及其形成方法
授权
摘要
本发明提供一种接合垫结构及其形成方法。所述接合垫结构，其包括一顶部介层窗图案。顶部介层窗图案具有至少一第一介层窗组以及与其相邻的至少一第二介层窗组。第一介层窗组具有朝一第一方向延伸的至少两个线型介层窗，而第二介层窗组具有朝不同于第一方向的一第二方向延伸的至少两个线型介层窗。第一介层窗组的线型介层窗不与第二介层窗组的线型介层窗相交。本发明所述接合垫结构及其形成方法，可避免在线型介层窗相交之处具有不良的覆盖率，进而改善可靠度、接合度以及品质控制。
基本信息
专利标题 ：
接合垫结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848417A
申请号 ：
CN200610057499.5
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚皓然范富杰吴毓瑞王明义王祥维林晃生陈明贤薛瑞云
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610057499.5
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L23/52 H01L21/28 H01L21/768 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2009-02-18 ：
授权
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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