晶圆接合结构及其形成方法
授权
摘要
本发明实施例提供一种晶圆接合结构及其形成方法。晶圆接合结构的形成方法包括形成第一晶圆以及将第二晶圆接合到第一晶圆的接合介电层及接合垫。形成第一晶圆包括以下工艺。提供半导体结构，半导体结构的边缘具有第一塌边区域。形成附加介电层，以填补第一塌边区域。在半导体结构及附加介电层上形成具有开口的接合介电层。形成导电层于接合介电层上并填入开口中，其中在附加介电层上方的导电层具有凸起。进行移除工艺，以移除位于接合介电层上的导电层，余留在开口中的导电层形成接合垫，其中移除工艺包括平坦化工艺，且凸起被平坦化工艺移除。
基本信息
专利标题 ：
晶圆接合结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111668121A
申请号 ：
CN201910164096.8
公开（公告）日 ：
2020-09-15
申请日 ：
2019-03-05
授权号 ：
CN111668121B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
吴国铭周正贤蔡正原李昇展萧豪毅
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
康艳青
优先权 ：
CN201910164096.8
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20190305
申请日 : 20190305
2020-09-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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