封装结构的形成方法
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摘要
一种封装结构的形成方法，提供具有第一塑封层的若干芯片，由于第一塑封层一般是通过注塑或转塑工艺形成，使得形成的第一塑封层具有平坦的表面，从而使得每一个半导体芯片表面均具有平坦的表面，在将若干分立的半导体芯片上的第一塑封层与载板进行粘合时，从而使得每一个半导体芯片与载板之间均具有较高的粘附力，当在载板上形成包覆若干半导体芯片的第二塑封层时，在受到注塑或转塑的压力冲击时，所有的半导体芯片在载板上位置都不会产生偏移，从而后续在去除载板后，在预封面板的背面形成与焊盘连接的再布线层时，再布线层与对应的焊盘的连接位置不会产生偏移，从而提高了再布线层与焊盘之间的电学连接性能。
基本信息
专利标题 ：
封装结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110517959A
申请号 ：
CN201910676061.2
公开（公告）日 ：
2019-11-29
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN110517959B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
陶玉娟戴颖
申请人 ：
南通通富微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市苏通科技产业园江成路1088号江成研发园内3号楼1477室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高德志
优先权 ：
CN201910676061.2
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/56 H01L23/31
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-12-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20190725
申请日 : 20190725
2019-11-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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