天线封装及其形成方法
公开
摘要
本公开的实施例包括天线封装及其形成方法。一种半导体系统包括：半导体芯片，该半导体芯片包括RF电路、RF电路之上的缓冲层和缓冲层之上的多个凸块，其中多个凸块包括电连接到RF电路的至少一个功能凸块和至少一个伪凸块，通过缓冲层使至少一个伪凸块与RF电路保持一距离并防止其电连接到RF电路；导电层，设置在半导体芯片之上并经过多个通孔耦合到多个凸块；馈线结构，设置在导电层之上，其中馈线结构电耦合到RF电路；以及多个天线，设置在馈线结构之上，其中多个天线中的至少一个天线经过馈线结构耦合到RF电路。
基本信息
专利标题 ：
天线封装及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267666A
申请号 ：
CN202111079207.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-09-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵应山A·巴赫蒂S·特罗塔
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国诺伊比贝尔格
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
闫昊
优先权 ：
CN202111079207.9
主分类号 ：
H01L23/66
IPC分类号 ：
H01L23/66 H01L21/60 H01L21/768 H01Q1/22 H01Q1/50 H01Q21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
H01L23/66
高频匹配器
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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