封装结构及其形成方法
授权
摘要
提供封装结构及其形成方法。此方法包含在基底上方设置半导体晶粒结构。此方法也包含在基底上方设置保护膜。保护膜具有暴露出半导体晶粒结构的开口，且开口的侧壁围绕半导体晶粒结构。此方法更包含将底部填充材料分配于开口中以围绕半导体晶粒结构。
基本信息
专利标题 ：
封装结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111834237A
申请号 ：
CN202010082221.3
公开（公告）日 ：
2020-10-27
申请日 ：
2020-02-07
授权号 ：
CN111834237B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
蔡承轩蔡宗甫林士庭卢思维
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202010082221.3
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31 H01L25/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2020-11-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20200207
申请日 : 20200207
2020-10-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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