封装件及形成封装件的方法
授权
摘要
本发明提供一种封装件及形成封装件方法。一种形成封装件的方法，包括：在载体的上方放置第一芯片层，所述第一芯片层包括正面朝下的多个第一芯片和在所述多个第一芯片之间的多个芯片联接器；在所述第一芯片层上放置并组装第二芯片层，所述第二芯片层包括正面朝下的多个第二芯片；在所述载体的上方对所有芯片层进行模塑处理；去除所述载体以形成封装件主体，并在所述封装件主体的下方添加重布线层和凸点；以及分割所述封装件主体以形成多个所述封装件。
基本信息
专利标题 ：
封装件及形成封装件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112420529A
申请号 ：
CN202011352636.4
公开（公告）日 ：
2021-02-26
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
CN112420529B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
李维平
申请人 ：
上海易卜半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市青浦区外青松公路5045号510室A区20室
代理机构 ：
北京市中伦律师事务所
代理人 ：
童剑雄
优先权 ：
CN202011352636.4
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31 H01L25/16 H01L23/488 H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-03-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20201127
申请日 : 20201127
2021-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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