半导体封装及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体封装包括第一管芯结构、设置在第一管芯结构上的第一重分布结构、设置在第一重分布结构上的第二管芯结构以及设置在第二管芯结构上的第二重分布结构。第一管芯结构包括中介层，中介层包括半导体基板和穿过半导体基板的通孔。第一集成电路管芯设置在中介层的半导体基板中。第二管芯结构包括封装在密封体中的第二集成电路管芯和穿过密封体的多个导电柱。第一集成电路管芯通过第一重分布结构、导电柱和第二重分布结构电连接到第二集成电路管芯。使用该方案，可以使得第一重分布结构的设计具有较大的灵活性。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497025A
申请号 ：
CN202111341829.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡宜霖刘乃玮许文松
申请人 ：
联发科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学园区新竹市笃行一路1号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何倚雯
优先权 ：
CN202111341829.4
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L21/56 H01L21/768 H01L23/31 H01L23/48 H01L23/488 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/18
申请日 : 20211112
申请日 : 20211112
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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