一种多芯片半导体封装及其形成方法
授权
摘要
本发明涉及一种多芯片半导体封装及其形成方法，在对塑封树脂层进行固化处理的过程中，通过分段固化处理，可以有效抑制硅基晶体管在固化过程中产生硅悬空键，通过先在氧气氛围中使得硅基晶体管充分产生硅悬空键，进而通过在氮气的氛围中热处理过程以使得氧气完全排出，进而在后续的固化过程中通过不同的氢气氛围进行充分的热处理，进而使得硅基晶体管表面的硅悬空键充分的转化为硅氢键，进而有效提高硅基晶体管的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种多芯片半导体封装及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112802760A
申请号 ：
CN202110017729.X
公开（公告）日 ：
2021-05-14
申请日 ：
2021-01-07
授权号 ：
CN112802760B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
孙德瑞
申请人 ：
山东傲天环保科技有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市历下区华能路38号汇源大厦1506
代理机构 ：
北京华际知识产权代理有限公司
代理人 ：
叶宇
优先权 ：
CN202110017729.X
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60 H01L21/683 H01L23/31 H01L25/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2021-06-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20210107
申请日 : 20210107
2021-05-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN112802760A.PDF
PDF下载
