半导体封装及其形成方法

专利权的终止

摘要

提供在管芯粘接工艺期间防止来自背面金属层(118)的金渗入到焊料(164)中的半导体封装(100)及其制造方法。根据本发明的方法包括提供包括有多个金属焊盘(112)的半导体晶片叠层(110)。在基板(116)的表面(119)上形成粘附/镀层(115)。在粘附/镀层(115)的表面上镀上金层(118)。在划片道区域(124)中使用标准光刻技术蚀刻金层(118)以暴露金层(118)及粘附/镀层(115)的边缘部分(128)。沉积阻挡金属层(130)以在金层(118)及粘附/镀层(115)的暴露的边缘(128)的周围形成边缘密封(129)。在划片道区域(124)中切割半导体晶片叠层(110)并将其焊接到引线框架(162)以形成其提供边缘密封(128)以防止来自背面金属层(118)的金渗入到焊料(162)中的半导体封装(100)。

基本信息

专利标题：

半导体封装及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101185153A

申请号：

CN200680018216.4

公开（公告）日：

2008-05-21

申请日：

2006-03-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

瓦西里·罗梅加·汤普森贾森·芬德特里·K·戴利张镇旭

申请人：

飞思卡尔半导体公司

申请人地址：

美国得克萨斯

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏

优先权：

CN200680018216.4

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L23/52