半导体封装方法及半导体封装结构

实质审查的生效

摘要

本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。该半导体封装方法包括：S1：将第一包封结构件贴装于支撑板上，第一包封结构件中包封有第一待封装芯片；S2：在第一包封结构件上形成第一再布线结构，第一再布线结构与第一待封装芯片电连接；S3：将第二待封装芯片贴装于第一包封结构件上，且第二待封装芯片部分叠设于第一待封装芯片上；S4：形成第二包封结构件；S5：在第二包封结构件上形成第二再布线结构，第二再布线结构与第一再布线结构和第二待封装芯片均电连接；S6：剥离支撑板。该半导体封装结构通过该半导体封装方法制得。本申请通过分别对第一芯片和第二芯片进行封装，从而解决了超薄芯片在结构上的脆弱性。

基本信息

专利标题：

半导体封装方法及半导体封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114334673A

申请号：

CN202011040502.9

公开（公告）日：

2022-04-12

申请日：

2020-09-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

周文武

申请人：

矽磐微电子（重庆）有限公司

申请人地址：

重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋

代理机构：

北京博思佳知识产权代理有限公司

代理人：

曾莺华

优先权：

CN202011040502.9

主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60 H01L23/31 H01L23/488 H01L25/065

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

法律状态

2022-04-29 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20200928

2022-04-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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