半导体封装结构的加工方法和半导体封装结构
公开
摘要
本发明公开一种半导体封装结构的加工方法和半导体封装结构，其中加工方法包括：提供晶圆，晶圆的第一表面暴露出焊垫；在第一表面上依次形成图案化的第一钝化层和布线层，布线层电连接焊垫；在第二表面上形成图案化的第二钝化层；以第二钝化层为掩膜，对晶圆进行第一组刻蚀步骤，以在晶圆上刻蚀形成非贯通孔，且非贯通孔的孔底与第一钝化层之间具有预设距离；继续对晶圆进行第二组刻蚀步骤，以形成贯通晶圆的硅通孔，其中，第一组刻蚀步骤的刻蚀深度和刻蚀速率均大于第二组刻蚀步骤的刻蚀深度和刻蚀速率；在硅通孔的底部填充介质层；回刻去除硅通孔位置处的介质层和第一钝化层，直至露出布线层；在硅通孔中形成金属柱，金属柱电连接布线层。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构的加工方法和半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300413A
申请号 ：
CN202111464285.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张海苗林源为周赐
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN202111464285.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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