半导体封装结构

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摘要

本实用新型提供一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：重新布线层；芯片，倒装键合于重新布线层的下表面；电连接结构，位于重新布线层的上表面；塑封层，位于重新布线层的上表面，且将电连接结构塑封；第一天线层，位于塑封层的上表面；框架结构，位于塑封层的上表面，且位于第一天线层的外围；盖板，位于框架结构的顶部；第二天线层，位于盖板的下表面；焊球凸块，位于重新布线层的下表面。本实用新型的半导体封装结构可以有效减小封装结构的体积，提高器件的集成度；且本实用新型的半导体封装结构中传输讯号路径较短，可以得到更好的电性及天线性能。

基本信息

专利标题：

半导体封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920825135.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-03

授权号：

CN209929301U

授权日：

2020-01-10

发明人：

陈彦亨林正忠

申请人：

中芯长电半导体（江阴）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市长山大道78号

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

史治法

优先权：

CN201920825135.X

主分类号：

H01L23/66

IPC分类号：

H01L23/66 H01L23/538 H01L21/764 H01L21/768 H01Q1/22