半导体封装结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括重新布线层，重新布线层包括介质层及金属连接层；第一玻璃基板，位于重新布线层的第二表面；金属连接柱，贯穿第一玻璃基板，且与金属连接层电性连接；第一天线层，与金属连接柱电性连接；第二玻璃基板，覆盖第一天线层；第二天线层，位于第二玻璃基板表面；金属凸块，与金属连接层电性连接；以及芯片，与金属连接层电性连接。本实用新型的半导体封装结构采用重新布线层及多层玻璃基板实现两层或更多层天线金属层的整合，有助于封装结构的体积缩小，提高器件集成度，同时有助于其制备工艺的简化和生产成本的降低，有利于其性能的提升。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920735268.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-22
授权号 ：
CN209641652U
授权日 ：
2019-11-15
发明人 ：
陈彦亨林正忠
申请人 ：
中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN201920735268.8
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/66 H01Q1/22 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2021-07-02 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/48
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
2019-11-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
